资料显示，安徽格恩半导体成立于2021年8月，位于安徽省六安市金安经济开发区，注册资本8072万元，总投资额20亿元。该公司聚焦于化合物半导体细分领域，专注于“高效率激光芯片、高功率LED芯片、高灵敏探测芯片、高性能功率芯片”等产业化核心技术，深耕于高端芯片产品的研发、生产和销售。

据了解，近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。

目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力及量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及行业先进的产品研发平台和自动化生产线。