相较上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低约15%，位元密度提升超过35%，每颗晶粒容量可达16Gb。

至于更先进的1γ（1-gamma）技术，卢东晖表示新一代的1-gamma制程是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，将在2025年上半年先在台中厂量产。

据悉，目前在美光只有在台中有EUV的制造工厂，因此1-gamma制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。

当前尽管存储产业仍处于下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。除了美光外，三星也在积极探索先进制程。

三星在去年10月召开的Samsung Foundry Forum 2022活动上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。

此外，今年5月三星宣布量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，9月三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。